收藏本站
CPC3703
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
N-Channel Depletion-Mode
Vertical DMOS FET
V (BR)DSX /
V (BR)DGX
250V
R DS(on)
(max)
4 ?
I DSS (min)
360mA
Package
SOT-89
Description
The CPC3703 is an N-channel, depletion mode, field
effect transistor (FET) that utilizes IXYS Integrated
Circuits Division’s proprietary third-generation vertical
DMOS process. The third-generation process realizes
Low V GS(off) Voltage: -1.6 to -3.9V
Depletion Mode Device Offers Low R DS(on)
Features
? High Breakdown Voltage: 250V
? Low On-Resistance: 4 ? max. at 25oC
?
?
at Cold Temperatures
? High Input Impedance
? Small Package Size: SOT-89
Applications
? Ignition Modules
? Normally-On Switches
world class, high voltage MOSFET performance
in an economical silicon gate process. Our vertical
DMOS process yields a robust device, with high
input impedance, for use in high-power applications.
The CPC3703 is a highly reliable device that has
been used extensively in our Solid State Relays for
industrial and telecommunications applications.
This device excels in power applications that require
low drain-source resistance, particularly in cold
environments such as automotive ignition modules.
The CPC3703 offers a low, 4 ? maximum, on-state
resistance at 25oC.
?
?
?
?
Solid State Relays
Converters
Telecommunications
Power Supply
The CPC3703 has a minimum breakdown voltage of
250V, and is available in an SOT-89 package. As with
all MOS devices, the FET structure prevents thermal
runaway and thermal-induced secondary breakdown.
Ordering Information
Part #
Description
CPC3703C
N-Channel Depletion Mode FET, SOT-89 Pkg.
Cut-Tape, Available in Quantities of 200, 400,
600, and 800 Only (see Note 1)
CPC3703CTR N-Channel Depletion Mode FET, SOT-89 Pkg.
Tape and Reel (1000/Reel)
Note 1: Orders for 1000 or greater must be for the "CTR" part option
and in increments of 1000.
Package Pinout
G
D
S
(SOT-89)
D
Circuit Symbol
G
D
S
Pb
e 3
DS-CPC3703-R06
www.ixysic.com
1
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
CPC5602C MOSFET N-CH 350V 5MA SOT-223
CPC5603C MOSFET N-CH 415V 5MA SOT-223
CPDETLS-4000 RF POWER DETECTOR IN-LINE SMA
CPH3348-TL-E MOSFET P-CH 12V 3A CPH3
CPH3350-TL-H MOSFET P-CH 20V 3A CPH3
CPH3351-TL-H MOSFET P-CH 60V 1.8A CPH3
CPH3356-TL-H MOSFET P-CH 20V 2.5A CPH3
CPH3360-TL-H MOSFET P-CH 30V 1.6A CPH3
相关代理商/技术参数
CPC3703ZTR 功能描述:MOSFET N-CH 250V SOT-89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 欧姆 @ 200mA，0V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:350pF @ 25V 功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标准包装:1,000
CPC3708ACTR 制造商:IXYS Integrated Circuits Division 功能描述:CPC
CPC3708CTR 功能描述:MOSFET N-CH 350V 0.005A SOT-89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极电压（Vdss）:350V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5mA（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 欧姆 @ 50mA，350mV 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:300pF @ 0V 功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标准包装:1
CPC3708ZTR 制造商:IXYS Integrated Circuits Division 功能描述:N-CHANNEL DEPLETION MOSFET 350 V 14 OHMS SOT-223
CPC3710 制造商:CLARE 制造商全称:Clare, Inc. 功能描述:N-Channel Depletion-Mode FET
CPC3710C 功能描述:MOSFET N Channel Depletion Mode FET, 250V SOT-89 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
CPC3710CTR 功能描述:MOSFET N Channel Depletion Mode FET, T/R, 250V SOT-89 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
CPC3714 制造商:CLARE 制造商全称:Clare, Inc. 功能描述:N-Channel Depletion-Mode FET